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SPD04P10PGBTMA1 产品设计参考 第 1/270 页
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SPD04P10PGBTMA1 产品设计参考 - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-252-3
描述:
DPAK P-CH 100V 4A
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引脚定义
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Hot
封装外形尺寸
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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参数规格
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应用领域
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更新时间： 2025-04-29 00:18:21 (UTC+8)
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功能框图
SPD04P10PGBTMA1 产品设计参考
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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参数规格
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应用领域
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SPD04P10PGBTMA1 数据手册 PDF
SPD04P10PGBTMA1 数据手册
Infineon
9 页, 475 KB
SPD04P10PGBTMA1 产品设计参考
Infineon
270 页, 11877 KB
SPD04P10PGBTMA1 其它数据手册
Infineon
30 页, 664 KB
SPD04P10PGBTMA1 应用笔记
Infineon
37 页, 2068 KB
SPD04P10 数据手册 PDF
SPD04P10
PLGBTMA1
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Infineon
DPAK P-CH 100V 4.2A
SPD04P10
PGBTMA1
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Infineon
DPAK P-CH 100V 4A
SPD04P10
PL G
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Infineon
Trans MOSFET P-CH 100V 4.2A 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R
SPD04P10
PLG
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Infineon
P-channel Mosfets Power-transistor
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P G
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Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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PG
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P-CH 100V 4A 1000mOhm TO252 **
SPD04P10
P
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SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
SPD04P10
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