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IRS21867STRPBF 产品设计参考 第 1/48 页
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百芯的价格
IRS21867STRPBF 产品设计参考 - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
FET,驱动器
封装
SOIC-8
描述:
MOSFET DRVR 600V 4A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC N T/R
更新时间： 2025-06-05 09:50:21 (UTC+8)
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IRS21867STRPBF 数据手册 PDF
IRS21867STRPBF 数据手册
Infineon
21 页, 744 KB
IRS21867STRPBF 产品设计参考
Infineon
48 页, 7466 KB
IRS21867STRPBF 其它数据手册
Infineon
73 页, 3004 KB
IRS21867STRPBF 应用笔记
Infineon
30 页, 426 KB
IRS21867STRPBF 产品封装文件
Infineon
5 页, 329 KB
IRS21867STRPBF 产品修订记录
Infineon
8 页, 125 KB
IRS21867 数据手册 PDF
IRS21867
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Infineon
MOSFET DRVR 600V 4A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC N T/R
IRS21867
SPBF
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Infineon
MOSFET DRVR 600V 4A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC N Tube
IRS21867
STRPBF
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International Rectifier
Driver 600V 4A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC N T/R
IRS21867
SPBF
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International Rectifier
Driver 600V 4A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC N Tube
IRS21867
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600V High and Low Side Driver IC with typical 4A source and 4A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.
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