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IRLR120NPBF 产品设计参考 第 1/270 页
￥ 2.07
百芯的价格
IRLR120NPBF 产品设计参考 - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-252-3
描述:
DPAK N-CH 100V 10A
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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参数规格
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应用领域
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更新时间： 2025-05-14 02:04:11 (UTC+8)
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IRLR120NPBF 产品设计参考
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封装外形尺寸
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功能说明
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参数规格
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IRLR120NPBF 数据手册 PDF
IRLR120NPBF 数据手册
Infineon
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IRLR120NPBF 产品设计参考
Infineon
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IRLR120NPBF 其它数据手册
Infineon
30 页, 664 KB
IRLR120NPBF 产品设计图
Infineon
2 页, 176 KB
IRLR120NPBF 应用笔记
Infineon
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TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
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MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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