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IRFB59N10DPBF 产品设计参考 - Infineon

制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-220-3
描述:
TO-220AB N-CH 100V 59A
页面指南:
引脚定义在 56页 225页 254页 Hot

封装外形尺寸在 215页 253页

型号规则信息在 85页 131页 142页 146页 158页

功能框图在 6页 8页 16页 20页 33页

设计电路图在 182页 183页 184页 210页 223页

功能说明在 20页 93页 94页 96页 98页

参数规格在 17页 131页 142页

应用领域在 7页 9页 11页 13页 15页

型号列表在 13页 14页 15页 38页 40页

更新时间： 2025-04-29 22:52:57 (UTC+8)

功能框图

IRFB59N10DPBF 产品设计参考

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Selection Guide 2017

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IRFB59N10DPBF 数据手册

Infineon

12 页, 228 KB

IRFB59N10DPBF 产品设计参考

Infineon

270 页, 11877 KB

IRFB59N10DPBF 其它数据手册

Infineon

30 页, 664 KB

IRFB59N10DPBF 产品设计图

Infineon

2 页, 176 KB

IRFB59N10DPBF 应用笔记

Infineon

37 页, 2068 KB

IRFB59N10DPBF 产品修订记录

Infineon

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IRFB59N10DPBF 其他参考文件

Infineon

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IRFB59N10 数据手册 PDF

IRFB59N10
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International Rectifier

Power MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)max=0.025Ω/ Id=59A)

IRFB59N10
数据手册

IRF

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025Ω, Id=59A)

IRFB59N10DPBF
数据手册

Infineon

TO-220AB N-CH 100V 59A

IRFB59N10DPBF
数据手册

International Rectifier

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.025Ω; ID 59A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-30V

IRFB59N10D
数据手册

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100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

IRFB59N10D
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TO-220AB N-CH 100V 59A

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Vishay Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

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