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IRFB4310PBF 产品设计参考 - Infineon

制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-220-3
描述:
TO-220AB N-CH 100V 130A
页面指南:
引脚定义在 56页 225页 254页 Hot

封装外形尺寸在 215页 253页

型号规则信息在 85页 131页 142页 146页 158页

功能框图在 6页 8页 16页 20页 33页

设计电路图在 182页 183页 184页 210页 223页

功能说明在 20页 93页 94页 96页 98页

参数规格在 17页 131页 142页

应用领域在 7页 9页 11页 13页 15页

型号列表在 13页 14页 15页 38页 40页

更新时间： 2025-05-11 16:01:05 (UTC+8)

功能框图

IRFB4310PBF 产品设计参考

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Power Management

Selection Guide 2017

www.infineon.com/powermanagement-selectionguide

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Infineon

12 页, 377 KB

IRFB4310PBF 产品设计参考

Infineon

270 页, 11877 KB

IRFB4310PBF 其它数据手册

Infineon

30 页, 664 KB

IRFB4310PBF 产品设计图

Infineon

2 页, 176 KB

IRFB4310PBF 应用笔记

Infineon

37 页, 2068 KB

IRFB4310PBF 其他参考文件

Infineon

1 页, 144 KB

IRFB4310 数据手册 PDF

IRFB4310
数据手册

International Rectifier

TO-220AB

IRFB4310
数据手册

Infineon

TO-220AB N-CH 100V 140A

IRFB4310
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IRF

HEXFET Power MOSFET

IRFB4310ZPBF
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Infineon

TO-220AB N-CH 100V 127A

IRFB4310PBF
数据手册

Infineon

TO-220AB N-CH 100V 130A

IRFB4310PBF
数据手册

International Rectifier

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 5.6 Milliohms; ID 130A; TO-220AB; PD 300W

IRFB4310ZPBF
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International Rectifier

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 4.8 Milliohms; ID 120A; TO-220AB; PD 250W

IRFB4310ZGPBF
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International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 100V 127A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

IRFB4310GPBF
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Single N-Channel 100V 7mOhm 170NC 300W Through Hole Mosfet - TO-220AB

IRFB4310Z
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