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IPB036N12N3 G 产品设计参考 第 1/270 页
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IPB036N12N3 G 产品设计参考 - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-263-7
描述:
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
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引脚定义
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Hot
封装外形尺寸
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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参数规格
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应用领域
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更新时间： 2025-04-24 04:48:54 (UTC+8)
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功能框图
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封装外形尺寸
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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参数规格
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IPB036N12N3 G 数据手册 PDF
IPB036N12N3 G 数据手册
Infineon
9 页, 634 KB
IPB036N12N3 G 产品设计参考
Infineon
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IPB036N12N3 G 其它数据手册
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30 页, 664 KB
IPB036N12N3 G 应用笔记
Infineon
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