Datasheet
数据手册 > MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET > IRFBE30 数据手册
IRFBE30
图片仅供参考

IRFBE30 数据手册

  • 型号系列:
    IRFBE30 系列
  • 分类:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 描述:
    MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  • 数据手册:
更新时间: 2024/08/01 00:58:21 (UTC+8)

IRFBE30 MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET 数据手册

IRFBE30 数据手册 MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

IRFBE30
数据手册
10 页
International Rectifier
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
IRFBE30
数据手册
10 页
VISHAY
TO-220AB N-CH 800V 4.1A
IRFBE30
数据手册
10 页
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
IRFBE30PBF
数据手册
9 页
VISHAY
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFBE30SPBF
数据手册
11 页
VISHAY
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3Pin(2+Tab) D2PAK
IRFBE30PBF
数据手册
9 页
Vishay Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 800V; RDS(ON) 3Ω; ID 4.1A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-20V
更多 IRFBE30 数据手册 >
Datasheet 搜索
搜索
百芯智造数据库涵盖1亿多个数据手册,每天更新超过5,000个PDF文件。
在线联系我们
黄经理 - 百芯智造销售经理在线,5 分钟前
您的邮箱 *
消息 *
发送