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SCT2H12NZGC11 应用笔记 - ROHM Semiconductor

  • 制造商:
    ROHM Semiconductor
  • 分类:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 封装
    TO-3
  • 描述:
    Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 3.7A, 1.7kV, 1.15Ω, 18V, 2.8V
更新时间: 2025-05-21 13:48:30 (UTC+8)

SCT2H12NZGC11 应用笔记

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SiC Power Devices and Modules
Application Note
Issue of August 2014
14103EBY01

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Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 3.7A, 1.7kV, 1.15Ω, 18V, 2.8V
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