RSR015P03
Transistors
1/2
4V DrivePchMOS FET
RSR015P03
Structure External dimensions (Unit : mm)
Silicon P-channel MOS FET
Features
1) LowOn-resistance
2) Spacesaving small surface mount package (TSMT3)
3) 4V drive
Û¿½¸ ´»¿¼ ¸¿- -¿³» ¼·³»²-·±²-
øï÷ Ù¿¬»
Applications
øî÷ ͱ«®½»
øí÷ Ü®¿·²
ÌÍÓÌí
ðòïê
ðòèë
ïòðÓßÈ
ðòé
ø
î
÷
ø
ï
÷
ø
í
÷
îòç
ïòç
ðòçëðòçë
ðòì
ß¾¾®»ª·¿¬»¼ -§³¾±´ æ ÍÓ
Switching
Packaging specifications Inner circuit
øï÷ Ù¿¬»
øî÷ ͱ«®½»
øí÷ Ü®¿·²
ï ÛÍÜ ÐÎÑÌÛÝÌ×ÑÒ Ü×ÑÜÛ
î ÞÑÜÇ Ü×ÑÜÛ
î
ï
øí÷
øï÷
øî÷
п½µ¿¹»
ݱ¼»
Ì¿°·²¹
Þ¿-·½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»½»-÷
ÎÍÎðïëÐðí
ÌÔ
íððð
̧°»
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
ï
î
ï
п®¿³»¬»®
ÊÊ
ÜÍÍ
ͧ³¾±´
ÊÊ
ÙÍÍ
ß×
Ü
ß×
ÜÐ
ß×
Í
ß×
ÍÐ
ÉÐ
Ü
pÝ̽¸
pÝÌ-¬¹
Ô·³·¬- ˲·¬
Ü®¿·²ó-±«®½» ª±´¬¿¹»
Ù¿¬»ó-±«®½» ª±´¬¿¹»
Ü®¿·² ½«®®»²¬
̱¬¿´ °±©»® ¼·--·°¿¬·±²
ݸ¿²²»´ ¬»³°»®¿¬«®»
ο²¹» ±º -¬±®¿¹» ¬»³°»®¿¬«®»
ݱ²¬·²«±«-
Ы´-»¼
ݱ²¬·²«±«-
Ы´-»¼
ï Щ ïðk-ô Ü«¬§ ½§½´» ïû
î Ó±«²¬»¼ ±² ¿ ½»®¿³·½ ¾±¿®¼
ͱ«®½» ½«®®»²¬
øÞ±¼§ ¼·±¼»÷
–íð
oïòë
oê
oîð
–ðòë
–ê
ï
ïëð
–ëë ¬± õïëð
Thermal resistance
п®¿³»¬»®
pÝñÉά¸ø½¸ó¿÷
ͧ³¾±´ Ô·³·¬- ˲·¬
ݸ¿²²»´ ¬± ¿³¾·»²¬ ïîë
Ó±«²¬»¼ ±² ¿ ½»®¿³·½ ¾±¿®¼
