Datasheet
数据手册 > MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET > International Rectifier > IRFP064NPBF 数据手册PDF > IRFP064NPBF 应用笔记 第 1/27 页
IRFP064NPBF
¥ 11.42
百芯的价格

IRFP064NPBF 应用笔记 - International Rectifier

  • 制造商:
    International Rectifier
  • 分类:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 封装
    TO-247-3
  • 描述:
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.008Ω; ID 110A; TO-247AC; PD 200W; VGS +/-20V
  • 页面指南:
更新时间: 2025-06-14 11:05:00 (UTC+8)

IRFP064NPBF 应用笔记

页码:/27页
下载 PDF
重新加载
下载
Recommendations for Printed
Circuit Board Assembly of
Infineon PG-T(S)DSON Packages
Additional Information, DS3, Aug. 2008
页面指南

IRFP064NPBF 数据手册 PDF

IRFP064NPBF 数据手册
International Rectifier
8 页, 297 KB
IRFP064NPBF 其它数据手册
International Rectifier
20 页, 2663 KB
IRFP064NPBF 应用笔记
International Rectifier
27 页, 1597 KB
IRFP064NPBF 产品修订记录
International Rectifier
3 页, 36 KB
IRFP064NPBF 产品目录
International Rectifier
9 页, 2549 KB

IRFP064 数据手册 PDF

IRFP064
数据手册
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
IRFP064
数据手册
VISHAY
TO-247AC N-CH 60V 70A
IRFP064
数据手册
International Rectifier
HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 0.009Ω, ID = 70A
IRFP064
其它数据手册
Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP064
其它数据手册
Vishay Intertechnology
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC,
IRFP064
数据手册
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
IRFP064
数据手册
IRF
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009Ω, Id=70*A)
IRFP064NPBF
数据手册
Infineon
TO-247AC N-CH 55V 110A
IRFP064NPBF
数据手册
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.008Ω; ID 110A; TO-247AC; PD 200W; VGS +/-20V
IRFP064PBF
数据手册
VISHAY
TO-247-3 N-CH 100V 70A 77mΩ
Datasheet 搜索
搜索
百芯智造数据库涵盖1亿多个数据手册,每天更新超过5,000个PDF文件。
相关文档: IRFP064 数据手册
在线联系我们
黄经理 - 百芯智造销售经理在线,5 分钟前
您的邮箱 *
消息 *
发送