Name: STS8C5H30L
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM3678066
Price: 3.45 USD
Availability: InStock

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STS8C5H30L ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STS8C5H30L
百芯编号#:
CM3678066
价格(CNY):
￥

3.45
百芯库存:
1,895 个
库存地点: 香港
可供应量:
1,137 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
SO N+P 30V 8A/5.4A
文档:
数据手册
3D模型

STS8C5H30L 购买 STS8C5H30L 库存和价格更新于 2025-06-13 03:50:22

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器件型号: STS8C5H30L

百芯编号: CM3678066

制造商: ST Microelectronics

封装: SOIC-8

价格
￥

3.45

总计: 3,032 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/18 (预期 )

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类型

描述

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制造商

ST Microelectronics

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定电流

8.00 A

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

耗散功率

1.6 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A, 4.20 A

上升时间

35.0 ns

输入电容(Ciss)

857pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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STS8C5H30L 数据规格书

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STS8C5H30L 其它数据手册Datasheet

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STS8C5H30L 其他参考文件

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2011/06/15

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

STS8C5H30L 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

STS8C5H30L 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STS8C5H30L 数据手册 >

产品概述

The STS8C5H30L is a N/P-channel Power MOSFET for switching applications. This device is a complementary N-channel and P-channel Power MOSFET developed using STripFET™ II (P-channel) and STripFET™ V (N-channel) technologies. The resulting transistors show extremely high packing density for low ON-resistance and rugged avalanche characteristics.
Conduction losses reduced
Switching losses reduced
Low threshold drive
Standard outline for easy automated surface-mount assembly

STS8C5H30L 数据手册 >

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