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LPC662IM/NOPB 库存 & 价格

TI TEXAS INSTRUMENTS LPC662IM/NOPB Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 350kHz, 0.11V/µs, 5V to 15V, SOIC, 8Pins
25.64
LPC662IM/NOPB
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LPC662IM/NOPB TI
TI
  • 制造商:
    TI
  • 制造商型号#:
    LPC662IM/NOPB
  • 百芯编号#:
    CM56831858
  • 价格(CNY):
    25.64
  • 百芯库存:
    228
  • 可供应量:
    170 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    运算,放大器
  • 产品描述:
    TEXAS INSTRUMENTS LPC662IM/NOPB Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 350kHz, 0.11V/µs, 5V to 15V, SOIC, 8Pins
  • 文档: 3D模型
LPC662IM/NOPB 购买 LPC662IM/NOPB 库存和价格更新于 2025-06-13 03:50:22
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    器件型号: LPC662IM/NOPB
    百芯编号: CM56831858
    制造商: TI
    封装: SOIC-8
    价格
    25.64
    总计: 398
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/18 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    TI
    类别
    运算,放大器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SOIC-8
    输出电流
    22mA @5V
    供电电流
    86 µA
    电路数
    2 Circuit
    通道数
    2 Channel
    针脚数
    8 Position
    共模抑制比
    63 dB
    输入补偿漂移
    0.00 V/K
    带宽
    350 kHz
    转换速率
    110 mV/μs
    增益频宽积
    350 kHz
    输入补偿电压
    1 mV
    输入偏置电流
    0.002 pA
    工作温度(Max)
    85 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    增益带宽
    350 kHz
    共模抑制比(Min)
    63 dB
    电源电压
    5V ~ 15V
    电源电压(Max)
    15.5 V
    电源电压(Min)
    4.75 V
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    LPC662IM/NOPB 数据规格书
    LPC662IM/NOPB 数据手册Datasheet
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    LPC662IM/NOPB 数据手册Datasheet
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    LPC662IM/NOPB 数据手册Datasheet
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    2015/02/18
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    LPC662IM/NOPB 数据手册Datasheet
    21 Pages, 641 KB
    2016/02/06
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    LPC662IM/NOPB 其它数据手册Datasheet
    18 Pages, 601 KB
    2001/03/07
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    LPC662IM/NOPB 其他参考文件
    1 Pages, 141 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    4.9 mm
    宽度
    3.9 mm
    高度
    1.45 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 85℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Each
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    产品概述
    • The LPC662IM/NOPB is a low power CMOS dual Operational Amplifier ideal for operation from a single supply. It features a wide range of operating voltage from +5 to +15V, rail-to-rail output swing in addition to an input common-mode range that includes ground. Performance limitations that have plagued CMOS amplifier in the past are not a problem with this design. Input VOS, drift and broadband noise as well as voltage gain (into 100k and 5k) is all equal to or better than widely accepted bipolar equivalents, while the power supply requirement is typically less than 0.5mW. This chip is built with national"s advanced double-poly silicon-gate CMOS process.
    • Input common-mode includes GND
    • Micropower operation (<0.5mW)
    • Specified for 100kR and 5kR loads
    • 120dB High voltage gain
    • 3mV Low input offset voltage
    • 1.3µV/°C Low offset voltage drift
    • 2fA Ultra low input bias current
    • 0.01% at 1kHz Low distortion
    • Green product and no Sb/Br

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      - 电气测试
      - 外观检测
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    关联型号: LPC662 数据手册

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