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IPL60R075CFD7AUMA1 库存 & 价格

Infineon The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
58.94
IPL60R075CFD7AUMA1
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IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon
Infineon
  • 制造商:
    Infineon
  • 制造商型号#:
    IPL60R075CFD7AUMA1
  • 百芯编号#:
    CM157234557
  • 价格(CNY):
    58.94
  • 百芯库存:
    271
  • 可供应量:
    185 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
  • 文档: 3D模型
IPL60R075CFD7AUMA1 购买 IPL60R075CFD7AUMA1 库存和价格更新于 2024-12-03 03:50:22
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    器件型号: IPL60R075CFD7AUMA1
    百芯编号: CM157234557
    制造商: Infineon
    封装: PG-VSON-4
    价格
    58.94
    总计: 456
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/12/08 (预期 )
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    制造商
    Infineon
    引脚数
    4 Pin
    3D模型
     3D模型
    封装
    PG-VSON-4
    针脚数
    4 Position
    漏源极电阻
    0.066 Ω
    耗散功率
    189 W
    阈值电压
    4 V
    漏源极电压(Vds)
    600 V
    上升时间
    13 ns
    输入电容(Ciss)
    2721pF @400V(Vds)
    下降时间
    5 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    耗散功率(Max)
    189000 mW
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    IPL60R075CFD7AUMA1 数据规格书
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    IPL60R075CFD7AUMA1 应用笔记
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    尺寸 & 包装
    类型
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    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    Compliant with Exemption
    含铅标准
    Lead Free
    产品概述
    • Description:
    • The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market. 
    • Summary of Features:
    • Ultra-fast body diode
    • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
    • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
    • Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
    • Best-in-class RDS(on)/package combinations
    • Benefits:
    • Best-in-class hard commutation ruggedness
    • Highest reliability for resonant topologies
    • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
    • Enabling increased power density solutions
    • Target Applications:
    • Server, Telecom, EV-charging, SMPS, PC power

    百芯智造认证

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      - 防静电包装
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      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
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